用于结合基体的方法及装置

摘要

本发明涉及用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法和相对应的装置，具有下列步骤、尤其下列流程：将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，e）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），f）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），g）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0µm的间距A，及h）在所述第二表面（36o）与所述第二加热面（19）之间存在＞0µm的间距B，加热加热面（15、19）且通过将间距A及B减小至0µm使得所述基体堆（14）接近加热面（15、19），通过在表面（35o、36o）处压力加载所述基体堆（14）使得在所述第一接触面（35k）与第二接触面（36k）之间构造出结合。

主权项

用于将第一基体（35）的第一接触面（35k）与第二基体（36）的第二接触面（36k）结合的方法，具有下列步骤、尤其下列流程：‑ 将由所述第一基体（35）及所述第二基体（36）形成的、在接触面（35k、36k）处对准的基体堆（14）布置在第一加热设备（30）的第一加热面（15）与第二加热设备（26）的第二加热面（19）之间，其中，a）所述第一加热面（15）布置成面向所述第一基体（35）的与所述第一接触面（35k）背离的第一表面（35o），b）所述第二加热面（19）布置成面向所述第二基体（36）的与所述第二接触面（36k）背离的第二表面（36o），c）在所述第一表面（35o）与所述第一加热面（15）之间存在>0 µm的间距A，及d）在所述第二表面（36o）与所述第二加热面（19）之间存在>0 µm的间距B，‑ 加热加热面（15、19）且通过将间距A及B减小至0 µm使得所述基体堆（14）接近加热面（15、19），‑ 通过在表面（35o、36o）处压力加载所述基体堆（14）使得在所述第一接触面（35k）与第二接触面（36k）之间构造出结合。