具有分布式光发射的有机发光二极场效应晶体管

摘要

一种有机二极发光场效应晶体管，它具有带在彼此上层叠的层的结构，适合于产生扩散的照明，它包括：门电极，叠置在所述门电极上的介电层，叠置在所述介电层上的二极通道，所述二极通道分别包括其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑SCp和最低未占据分子轨道LUMO‑SCp来确定的P‑型半导体层，其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑SCn和最低未占据分子轨道LUMO‑SCn来确定的N‑型半导体层，和其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑R和最低未占据分子轨道LUMO‑R来确定的在所述P‑型半导体层和所述N‑型半导体层之间插入的允许异号载荷子重组而采用的发光层；适合于注射第一类型电荷的源电极和适合于注射第二类型电荷的漏电极，所述源电极和漏电极与所述P‑型或N‑型半导体层的相同层接触，所述半导体层的其他层与介电层接触。

主权项

电致发光的二极有机场效应晶体管，它具有带叠置层的结构，包括：o门电极(G),o叠置在所述门电极(G)上的介电层(Die)，o叠置在所述介电层(Die)上的二极通道，它包括其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑SCp和最低未占据分子轨道LUMO‑SCp来确定的P‑型半导体层(SCp)，其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑SCn和最低未占据分子轨道LUMO‑SCn来确定的N‑型半导体层(SCn)，和在所述P‑型半导体层(SCp)和所述N‑型半导体层(SCn)之间插入的允许异号的载荷子重组而采用的发光层(R)；所述发光层(R)或者由其能带通过它的最高占据分子轨道HOMO‑R和最低未占据分子轨道LUMO‑R来确定的单一材料组成，或者是由主体材料和一种或更多种客体材料组成的主‑客体系组成，该主体材料具有通过它的最高占据分子轨道HOMO‑H和最低未占据分子轨道LUMO‑H确定的能带，该一种或更多种客体材料各自具有通过各自的最高占据分子轨道HOMO‑G和最低未占据分子轨道LUMO‑G确定的能带，o适合于注射第一类型电荷的源电极(S)和适合于注射第二类型电荷的漏电极(D)，所述源电极(S)和漏电极(D)与所述P‑型(SCp)或N‑型(SCn)半导体层的相同层接触，所述半导体层(SCn，SCp)的其他层与介电层(Die)接触，其特征在于o在所述半导体层(SCn，SCp)之一和所述发光层(R)之间的界面处的有效的场效应迁移率值(m2)与在所述半导体层(SCn，SCp)的其他层和所述介电层(Die)之间的界面处的有效的场效应迁移率值(m1)之比的范围为0.05‑20；o在其中P‑型半导体层(SCp)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由单一材料组成的情况下：‑HOMO‑R和HOMO‑SCn的能级之差为0.2eV至1eV，‑LUMO‑R和LUMO‑SCn的能级之差为0.2eV至0.8eV，‑HOMO‑R和HOMO‑SCp的能级之差为0eV至0.5eV，‑LUMO‑R和LUMO‑SCp的能级之差为‑1eV至0eV；o在其中N‑型半导体层(SCn)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由单一材料组成的情况下：‑HOMO‑R和HOMO‑SCn的能级之差为0eV至1eV，‑LUMO‑R和LUMO‑SCn的能级之差为‑0.5eV至0eV，‑HOMO‑R和HOMO‑SCp的能级之差为‑0.2eV至‑0.8eV，‑LUMO‑R和LUMO‑SCp的能级之差为‑0.2eV至‑1eV。o在其中P‑型半导体层(SCp)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由主‑客体系组成的情况下：‑HOMO‑H和HOMO‑SCn的能级之差为0.2eV至1eV，‑LUMO‑H和LUMO‑SCn的能级之差为0.2eV至3eV，‑HOMO‑H和HOMO‑SCp的能级之差为0eV至0.5eV，‑LUMO‑H和LUMO‑SCp的能级之差为‑1eV至3eV，和对于所有客体材料来说：‑LUMO‑G和LUMO‑SCn的能级之差为0.3eV至‑1eV，‑HOMO‑G和HOMO‑H的能级之差为0eV至1eV；o在其中N‑型半导体层(SCn)与介电层(Die)接触且所述发光层(R)由主‑客体系组成的情况下：‑HOMO‑H和HOMO‑SCn的能级之差为‑3eV至1eV，‑LUMO‑H和LUMO‑SCn的能级之差为‑0.5eV至0eV，‑HOMO‑H和HOMO‑SCp的能级之差为‑0.2eV至‑3eV，‑LUMO‑H和LUMO‑SCp的能级之差为‑0.2eV至‑1eV，和对于所有客体材料来说：‑HOMO‑G和HOMO‑SCp的能级之差为‑0.3eV至1eV，‑LUMO‑G和LUMO‑H的能级之差为0eV至‑1eV。