发明名称 非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统
摘要 本发明是一种非易失性存储器件、其操作方法以及包括其的存储系统。提供一种操作非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件包括衬底和存储块,所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元。所述方法包括:从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据;以及响应于对被选子块的读取,选择性地刷新被选存储块的每个子块,其中,所述被选存储块的每个子块被单独擦除。
申请公布号 CN102163456B 申请公布日期 2016.08.24
申请号 CN201110039569.5 申请日期 2011.02.17
申请人 三星电子株式会社 发明人 韩真晚;沈善一;金汉洙;张在薰;孙炳根
分类号 G11C16/02(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I;G11C16/16(2006.01)I 主分类号 G11C16/02(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 刘虹
主权项 一种操作非易失性存储器件的方法,该非易失性存储器件包括衬底和存储块,所述存储块具有沿着与衬底相交的方向堆叠的多个存储单元,所述方法包括:从被选存储块的子块当中的被选子块读取数据;以及响应于对被选子块的读取,选择性地刷新被选存储块的每个子块,其中,被选存储块的每个子块被单独擦除,其中,所述响应于对被选子块的读取选择性地刷新被选存储块的每个子块包括:备份被选存储块的子块当中的特定子块的数据;以及擦除该特定子块,其中,所述擦除特定子块包括:向被选存储块的字线当中与该特定子块相对应的字线施加字线擦除电压;浮置被选存储块的其余的字线;以及向衬底施加擦除电压,其中,所述擦除特定子块还包括:向该特定子块与邻近该特定子块的至少一个子块之间的至少一条伪字线施加中间电压,其中所述中间电压具有所述字线擦除电压与所述擦除电压之间的电平,其中,在数据被写入被选存储块的子块当中的特定子块之后,当在被选存储块中执行的读操作的数目达到参考值时,刷新该特定子块,其中,在数据被写入被选存储块的子块当中的另一子块之后,当在被选存储块中执行的读操作的数目未达到参考值时,不刷新该另一子块,其中,当读操作在所述特定子块中被执行时,所述特定子块的读操作的数目以及所述另一子块的读操作的数目二者都增加,其中,当所述特定子块被刷新并且所述另一子块没有被刷新时,所述特定子块的读操作的数目被重置并且所述另一子块的读操作的数目不被重置。
地址 韩国京畿道