| 发明名称 | 一种低温晶圆键合方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种低温晶圆键合方法，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。 | ||
| 申请公布号 | CN103832970B | 申请公布日期 | 2016.06.15 |
| 申请号 | CN201210491190.2 | 申请日期 | 2012.11.27 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 刘洪刚;李运;王盛凯;张雄;郭浩;孙兵;常虎东;赵威 |
| 分类号 | B81C3/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C3/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种低温晶圆键合方法，其特征在于，包括：对两个晶圆进行清洗；在清洗后的两个晶圆表面沉积一层氧化物，所述氧化物为氧化铝、氧化铪或氧化镧中的一种；对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理，所述表面活化处理是采用O<sub>2</sub>、N<sub>2</sub>、SF<sub>6</sub>等离子体活化处理中的多种依次对两个晶圆中的至少一个进行表面活化处理；将表面活化处理后的两个晶圆在非真空环境下表面相对彼此接触并施加外力使其键合；以及对键合后的晶圆进行低温退火处理。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||