| 发明名称 | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：在基底上形成栅电极的图形；形成表面平坦的栅绝缘层；形成多晶硅半导体层的图形，其中，所述形成多晶硅半导体层的图形的步骤包括：将非晶硅层进行结晶处理，形成多晶硅半导体层的步骤；形成源电极和漏电极的图形。本发明在制作薄膜晶体管过程中，由于栅绝缘层表面平坦，因而位于栅绝缘层上方的非晶硅层也成为表面平坦的膜层，克服了现有技术中因非晶硅的不平整导致结晶效果变差的问题，提高了结晶效果，从而提升了薄膜晶体管的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN105609422A | 申请公布日期 | 2016.05.25 |
| 申请号 | CN201610124743.9 | 申请日期 | 2016.03.04 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 敏健;李小龙;许正印;宋平;王有为 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人 | 黄灿;胡影 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在基底上形成栅电极的图形；形成表面平坦的栅绝缘层；形成多晶硅半导体层的图形，其中，所述形成多晶硅半导体层的图形的步骤包括：将非晶硅层进行结晶处理，形成多晶硅半导体层的步骤；形成源电极和漏电极的图形。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||