半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法、基板处理方法及基板处理装置，能提高形成碳氮膜时的生产率，并提高碳氮膜中的碳浓度。该方法具有通过交替进行规定次数的如下两道工序而在基板上形成含有规定元素、氮及碳的膜的工序：向基板供给含有规定元素和卤素的原料气体的工序；向基板供给由碳、氮及氢三种元素构成且组成式中碳原子数多于氮原子数的反应气体的工序。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其具有通过交替进行规定次数的如下工序而在处理室内的基板上形成含有规定元素、氮及碳的膜的工序：向所述处理室内的所述基板供给含有所述规定元素和卤素的原料气体的工序；向所述基板供给由碳、氮及氢三种元素构成且组成式中碳原子数多于氮原子数的反应气体的工序，其中，使供给所述反应气体的工序中的所述处理室的压力大于供给所述原料气体的工序中的所述处理室的压力。