用于PECVD镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法

摘要

本发明提供了一种用于PECVD镀硅或硅化物膜的腔体的清洗方法。该方法包括下列步骤：步骤A：切断正处于工作状态且待清洗的真空腔体的加热电源，回填大气，并立即打开所述腔体使其内部暴露于空气中，待所述腔体内壁不再有碎渣脱落；步骤B：将脱落的所述碎渣物理方法清除；步骤C：在所述清除之后，利用氟化合物产生的自由基对所述腔体进行在线自清洗。本发明耗时短，化学物质消耗量低，清洗彻底。

主权项

一种用于PECVD镀硅或硅化物膜的真空腔体的清洗方法，其特征在于，包括下列步骤：步骤A：切断正处于工作状态且待清洗的真空腔体的加热电源，回填大气，并立即打开所述真空腔体使其内部暴露于空气中，待所述真空腔体内壁不再有碎渣脱落；步骤B：将脱落的所述碎渣用物理方法清除；步骤C：在所述清除之后，利用氟化合物产生的氟自由基对所述腔体进行在线自清洗。