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Eine Halbleitervorrichtung umfasst eine erste Keramik-Basisplatte, eine zweite Keramik-Basisplatte, ein Inter-Ceramic-Metall, das ein Zwischenteil, das zwischen einer oberen Oberfläche der ersten Keramik-Basisplatte und einer unteren Oberfläche der zweiten Keramik-Basisplatte angeordnet ist, ein erstes überragendes Teil, das auf einer oberen Oberfläche der zweiten Keramik-Basisplatte ausgebildet ist, ein zweites überragendes Teil, das auf einer oberen Oberfläche der zweiten Keramik-Basisplatte ausgebildet ist, ein erstes Verbindungsteil, das an eine äußere Kante der zweiten Keramik-Basisplatte angrenzt und das Zwischenteil und das erste überragende Teil verbindet, und ein zweites Verbindungsteil, das an eine äußere Kante der zweiten Keramik-Basisplatte angrenzt und das Verbindungsteil und das zweite überragende Teil verbindet, aufweist, ein Schaltungsmuster, das auf der zweiten Keramik-Basisplatte ausgebildet ist, und ein Halbleiterelement, das auf dem Schaltungsmuster vorgesehen ist. |
