非挥发性记忆体装置以及用于该记忆体装置之抹除方法

摘要

除步骤过程期间，预编程操作(S1)之后，抹除操作(S3)以及APDE操作(S5)藉由APDE检查操作(S6：P)而执行与确认，且由抹除检查操作的确认(S7：P)而完成，步骤A系在复数个记忆体胞之软编程操作(S10)之前执行。继续执行一种仿记忆体胞编程操作(dummy memory cell program operation)(S8)，直到仿记忆体胞编程检查操作(S9)确认编程操作已完成。藉由在仿记忆体胞的程式操作的执行，经由位元线施加相似于程式操作的电压应力(voltage stress)于过抹除态(over-erased state)之记忆体胞上。因此，释放过抹除态藉以降低行漏出电流(column leak current)。在软编程检查操作(S11)期间，可以阻止错误识别，也可以避免过度软编程。

主权项

一种非挥发性记忆体装置，其包括：经由资料输入/输出端子以预定数目共同连接的复数个电性可复写记忆体胞；经由该等资料输出/输入端子而共同连接的仿记忆体胞；以及经组构以设定该等仿记忆体胞之编程检查电压的参考区域，其中，该参考区域之电压位准系设定为高过于该复数个记忆体胞之编程检查电压，且在该复数个记忆体胞资料抹除处理期间，在该复数个记忆体胞上执行抹除操作之后，于该等仿记忆体胞执行编程操作。