发明名称 |
用于过程监视及良率管理的所计算电性能度量 |
摘要 |
本文中呈现基于最终装置性能的预测而对半导体装置制造的过程控制及良率管理的方法及系统。基于一或多个装置性能模型而计算所估计装置性能度量值,所述一或多个装置性能模型将能够在过程期间测量的参数值与最终装置性能度量联系在一起。在一些实例中,装置性能度量的所估计值是基于非成品多层晶片的至少一个结构特性及至少一个带结构特性。在一些实例中,对正进行处理的装置是否将不能通过最终装置性能测试的预测是基于最终装置性能度量的所估计值与所规定值之间的差异。在一些实例中,至少部分地基于所述差异而确定一或多个后续过程步骤中的调整。 |
申请公布号 |
CN105431932A |
申请公布日期 |
2016.03.23 |
申请号 |
CN201480042175.7 |
申请日期 |
2014.06.25 |
申请人 |
科磊股份有限公司 |
发明人 |
高翔;菲利浦·伏兰纳;利奥尼德·波斯拉夫斯基;狄明;赵强;史考特·培纳尔 |
分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
张世俊 |
主权项 |
一种方法,其包括:接收与非成品多层半导体晶片的一或多个测量相关联的一定量的测量数据;至少部分地基于所述量的测量数据而确定所述非成品多层半导体晶片的结构特性;至少部分地基于所述量的测量数据而确定与所述非成品多层半导体晶片的层相关联的色散度量;至少部分地基于所述色散度量而确定指示所述多层半导体晶片的一部分的电性能的带结构特性;及至少部分地基于所述带结构特性及所述结构特性而确定对所述多层半导体晶片的一个以上装置性能度量的估计,仿佛所述非成品多层半导体晶片为成品一般。 |
地址 |
美国加利福尼亚州 |