发明名称 HIGH DENSITY HELICON PLASMA SOURCE FOR WIDE RIBBON ION BEAM GENERATION
摘要 하나 또는 그 이상의 헬리콘 플라즈마 소스들을 사용하여 고밀도의 폭이 넓은 리본 이온 빔을 발생시킬 수 있는 이온 소스가 개시되어 있다. 헬리콘 플라즈마 소스(들)에 부가하여, 이온 소스는 또한 확산 챔버를 포함한다. 확산 챔버는 헬리콘 플라즈마 소스의 유전체 원통과 동일한 축을 따라 방위가 정해진 추출 개구를 가진다. 하나의 실시예에서는, 확산 챔버의 대향 단부들 상에 위치된 듀얼 헬리콘 플라즈마 소스들이 더욱 균일한 추출 이온 빔을 생성하기 위해 이용된다. 또 다른 실시예에서는, 추출 이온 빔의 균일성을 추가로 향상시키기 위해 멀티커스프 자기장(multicusp magnetic field)이 이용된다.
申请公布号 KR101593540(B1) 申请公布日期 2016.02.15
申请号 KR20117006822 申请日期 2009.08.24
申请人 베리안 세미콘덕터 이큅먼트 어소시에이츠, 인크. 发明人 빌로이우, 코스텔;페렐, 알렉산더, 에스.;쇼이어, 제이, 티.
分类号 H01J37/08;H01J37/317;H01L21/265;H05H1/34 主分类号 H01J37/08
代理机构 代理人
主权项
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