| 发明名称 | 还原氧化石墨烯电路及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种还原氧化石墨烯电路及其制备方法。利用工业可得到的准分子激光系统，在玻璃衬底上直接图案化还原氧化石墨烯电路。观察激光能量密度的阈值，其对氧化石墨烯是否还原提供了清晰的分化。测量的最高导电率是7.142×10<sup>3</sup>S/m。在跨越450至800nm的整个范围，还原氧化石墨烯显示出大于80％的透射率。显著的电气、光学和形态性质使还原氧化石墨烯显示出希望的应用，并且当用作触摸屏的透明电极或在其它应用中，该纳米处理方法使还原氧化石墨烯甚至更有吸引力。 | ||
| 申请公布号 | CN105313400A | 申请公布日期 | 2016.02.10 |
| 申请号 | CN201410331452.8 | 申请日期 | 2014.07.11 |
| 申请人 | 纳米及先进材料研发院有限公司 | 发明人 | 容锦泉;林海明;蔡恒生 |
| 分类号 | B32B17/06(2006.01)I;B32B33/00(2006.01)I;C03C17/34(2006.01)I;C04B41/52(2006.01)I | 主分类号 | B32B17/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人 | 浦彩华;迟姗 |
| 主权项 | 一种还原氧化石墨烯电路，包括：衬底；形成在该衬底上的至少一个亲水层；形成在该亲水层上的至少一个氧化石墨烯层；和形成在该氧化石墨烯层上的至少一个还原氧化石墨烯图案。 | ||
| 地址 | 中国香港九龙清水湾香港科技大学赛马会创新科技中心3641至3649室香港科技大学办公室 | ||