发明名称 一种带斜坡启动电路的低压差线性稳压器
摘要 本发明提供一种带斜坡启动电路的低压差线性稳压器,该稳压器包括启动电路(201)和稳压器主电路(202);其中启动电路(201),一方面用于产生两路斜坡使能信号EN和EN_b,作为稳压器主电路使能端的输入信号,另一方用于输出电压信号Vro作为稳压器主电路的输入,所述电压信号Vro斜坡上升,最终稳定在一电压值;稳压器主电路(202),在两路使能信号EN和EN_b的控制下,用于对所述电压信号Vro进行比例放大,输出一稳定电压Vo。本发明低压差线性稳压器在上电启动时能有效的防止出现浪涌电流,并且其消耗的电流非常低。
申请公布号 CN104181968B 申请公布日期 2016.01.20
申请号 CN201410370014.2 申请日期 2014.07.30
申请人 中国科学院电子学研究所 发明人 杨海钢;黄国城;尹韬;吴其松;程小燕
分类号 G05F1/56(2006.01)I 主分类号 G05F1/56(2006.01)I
代理机构 北京理工大学专利中心 11120 代理人 仇蕾安;李爱英
主权项 一种带斜坡启动电路的低压差线性稳压器,其特征在于:该稳压器包括启动电路(201)和稳压器主电路(202);其中启动电路(201),一方面用于产生两路斜坡使能信号EN和EN_b,作为稳压器主电路使能端的输入信号,另一方面用于输出电压信号Vro作为稳压器主电路的输入,所述电压信号Vro斜坡上升,最终稳定在一电压值;稳压器主电路(202),在两路使能信号EN和EN_b的控制下,用于对所述电压信号Vro进行比例放大,输出一稳定电压Vo;所述启动电路(201)包括第一启动子电路(310)和第二启动子电路(320):第一启动子电路(310),用于产生两路斜坡使能信号EN和EN_b;所述第一启动子电路(310)包含三个反相器(Inv1,Inv2,Inv3)、三个施密特触发器(Sch1、Sch2、Sch3)、四个电容(C1、C2、C3、C4)、两个斜坡上升单元(311、312)和两个斜坡下降单元(313、314);第一启动子电路(310)的内部连接关系为:第一反相器(Inv1)的输入端作为启动电路(201)的使能端Start_up,其输出端与第一斜坡上升单元(311)的输入端相连;第一斜坡上升单元(311)的输出端分别与第一电容(C1)的一端和第一施密特触发器(Sch1)的输入端相连;第一施密特触发器(Sch1)的输出端分别与第二斜坡上升单元(312)的输入端和第二反相器(Inv2)的输入端相连;第二斜坡上升单元(312)的输出端与第二电容(C2)的一端相连,并作为所述两路斜坡使能信号中的斜坡上升信号输出端EN;第二反相器(Inv2)的输出端与第一斜坡下降单元(313)的输入端相连,第一斜坡下降单元(313)的输出端分别与第三电容(C3)的一端和第二施密特触发器(Sch2)的输入端相连,并作为所述两路斜坡使能信号中的斜坡下降信号输出端EN_b;第二施密特触发器(Sch2)的输出端与第二斜坡下降单元(314)的输入端相连,第二斜坡下降单元(314)的输出端分别与第四电容(C4)的一端和第三施密特触发器(Sch3)的输入端相连;第三施密特触发器(Sch3)的输出端与第三反相器(Inv3)的输入端相连;第一电容(C1)和第二电容(C2)的另一端均连至地GND,第三电容(C3)和第四电容(C4)的另一端均连至直流电源VDD;第二启动子电路(320),用于使输出电压Vro从0电位以斜坡的方式上升至一稳定电压;第二启动子电路(320)包括比较器(321)、两个反相器(Inv4、Inv5)、三个PMOS管(PM3、PM4、PM5)、两个NMOS管(NM3、NM4)、第一电流源(Ibs)及第五电容(C5);第二启动子电路(320)的内部连接关系为:比较器(321)的反相端与第三PMOS管(PM3)的源极相连,并作为启动电路(201)的一个输入端Vri;比较器(321)的同相端分别与第三PMOS管(PM3)的漏极、第四PMOS管(PM4)的源极和漏极、第五PMOS管(PM5)的漏极、第四NMOS管(NM4)的漏极及第五电容(C5)的一端相连;比较器(321)的输出端VO_Com分别与第四反相器(Inv4)的输入端和第三NMOS管(NM3)的漏极相连;第四反相器(Inv4)的输出端分别与第五反相器(Inv5)的输入端和第三PMOS管(PM3)的栅极相连;第五反相器(Inv5)的输出端分别与第四PMOS管(PM4)的栅极和第五PMOS管(PM5)的栅极相连;第五PMOS管(PM5)的源极与第一电流源(Ibs)的输出端相连;第一电流源(Ibs)的输入端与直流电源VDD相连;第三NMOS管(NM3)的源极、第四NMOS管(NM4)的源极及第五电容(C5)的另一端都连至地GND;第三反相器(Inv3)的输出端EN_SS分别与第三NMOS管(NM3)的栅极和第四NMOS管(NM4)的栅极相连。
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