| 发明名称 | p型AlGaN层及其制造方法和Ⅲ族氮化物半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 提供了一种用于提高了载流子浓度和提高了光输出的p型AlGaN层、用于制造p型AlGaN层的方法以及III族氮化物半导体发光元件。用于制造p型AlGaN层的方法的特征在于，通过多次重复第一步骤和第二步骤来形成p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层(0≤x<1)，其中，第一步骤用于以III族原料气体流量A<sub>1</sub>(0≤A<sub>1</sub>)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B<sub>1</sub>(0<B<sub>1</sub>)提供V族原料气体并且以含镁气体流量C<sub>1</sub>(0<C<sub>1</sub>)提供含镁气体，以及第二步骤用于以III族原料气体流量A<sub>2</sub>(0<A<sub>2</sub>)提供III族原料气体、以V族原料气体流量B<sub>2</sub>(0<B<sub>2</sub>)提供V族原料气体并且以含镁气体流量C<sub>2</sub>(0<C<sub>2</sub>)提供含镁气体，III族原料气体流量A1是不允许p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N层生长、并且满足A<sub>1</sub>≤0.5A<sub>2</sub>的流量。 | ||
| 申请公布号 | CN102782808B | 申请公布日期 | 2016.01.20 |
| 申请号 | CN201080063667.6 | 申请日期 | 2010.12.10 |
| 申请人 | 同和电子科技有限公司 | 发明人 | 大鹿嘉和;松浦哲也 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L33/32(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种用于制造p型AlGaN层的方法，其中，所述p型AlGaN层是通过MOCVD所形成的掺杂有镁的p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层，0≤x＜1，所述方法包括以下步骤：第一步骤，用于以III族原料气体流量A<sub>3</sub>提供III族原料气体，0＜A<sub>3</sub>，以V族原料气体流量B<sub>1</sub>提供V族原料气体，0＜B<sub>1</sub>，并且以含镁气体流量C<sub>1</sub>提供含镁气体，0＜C<sub>1</sub>；以及第二步骤，用于以III族原料气体流量A<sub>2</sub>提供III族原料气体，0＜A<sub>2</sub>，以V族原料气体流量B<sub>2</sub>提供V族原料气体并且以含镁气体流量C<sub>2</sub>提供含镁气体，0＜B<sub>2</sub>，0＜C<sub>2</sub>，其中，进行所述第一步骤和所述第二步骤以形成所述p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层，以及所述III族原料气体流量A<sub>3</sub>是仅允许所述p型Al<sub>x</sub>Ga<sub>1‑x</sub>N层的初始生长核生长、并且满足A<sub>3</sub>≤0.5A<sub>2</sub>的流量。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||