发明名称 熱電材料及びその製造方法並びにそれを用いた熱電変換モジュール
摘要 熱電材料は、半導体基板と、基板上に形成された半導体酸化膜と、酸化膜上に設けられた熱電層とを備えている。半導体酸化膜には第1ナノ開口部が形成され、熱電層は、複数の半導体ナノドットが粒子充填構造を有するように第1ナノ開口部上に積み上がった形をとり、複数の半導体ナノドットの少なくとも一部は、その表面に形成された第2ナノ開口部を有し、かつ、第2ナノ開口部を介して互いに結晶方位を揃えて連結している。この熱電材料は、半導体基板を酸化し、その上に半導体酸化膜を形成する工程と、酸化膜に第1ナノ開口部を形成する工程と、第1ナノ開口部上に複数の半導体ナノドットをエピタキシャル成長させて積み上げる工程を経て製造される。このような構成により、熱電変換性能に優れた熱電材料が実現する。
申请公布号 JPWO2013179897(A1) 申请公布日期 2016.01.18
申请号 JP20130543430 申请日期 2013.05.15
申请人 国立研究開発法人科学技術振興機構 发明人 中村 芳明;五十川 雅之;上田 智広;吉川 純;酒井 朗;細野 秀雄
分类号 H01L35/34;B82Y30/00;B82Y40/00;C01B33/02;C01B33/06;H01L29/06;H01L35/14;H01L35/32 主分类号 H01L35/34
代理机构 代理人
主权项
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