| 发明名称 | 用于在基材上沉积半导体材料的热丝法和用于施行该方法的装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及用于在沉积室中将半导体材料沉积在基材上的热丝法，其中至少两根金属丝以其端部夹紧在金属丝支架上并通过供电加热，其特征在于，在不同材料制成的金属丝上先后施加用于产生通过电流的电压，以便能够在基材上先后沉积与先后加热的金属丝材料总数相对应的总数的不同半导体。公开了施行该方法用的装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103687978B | 申请公布日期 | 2016.01.06 |
| 申请号 | CN201280019387.4 | 申请日期 | 2012.03.30 |
| 申请人 | 于利奇研究中心有限公司 | 发明人 | F·芬格;A·施马伦;J·沃尔夫 |
| 分类号 | C23C16/24(2006.01)I;C23C16/32(2006.01)I;C23C16/448(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 石克虎;林森 |
| 主权项 | 用于在沉积室中将半导体材料沉积在基材上的热丝法，其中至少两根金属丝以其端部夹紧在金属丝支架上并通过供电加热，其特征在于，在不同材料制成的金属丝上以时间先后施加用于产生通过电流的电压，以至于能够不打开所述室而在基材上先后沉积与先后加热的金属丝材料数相对应的数的不同半导体。 | ||
| 地址 | 德国于利奇 | ||