摘要 |
Ein Volumenakustikwellen-(BAW)-Resonator mit einer vertikal erweiterten akustischen Kavität wird bereitgestellt. Der BAW-Resonator weist eine untere Elektrode, die auf einem Substrat über einer in dem Substrat geformten Kavität angebracht ist; eine piezoelektrische Schicht, die auf der unteren Elektrode angebracht ist, und eine obere Elektrode auf, die auf der piezoelektrischen Schicht angebracht ist. Die piezoelektrische Schicht weist eine Dicke von ungefähr λ/2 auf, wobei λ eine Wellenlänge ist, die einer Dickendehnungsresonanzfrequenz des BAW-Resonators entspricht. Zumindest eine von der oberen Elektrode und der unteren Elektrode weist eine zusammengesetzte Elektrode auf, die eine Dicke von ungefähr λ/2 aufweist. |