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<p>conjunto semicondutor integrado e método para fazer um conjunto semicondutor integrado. trata-se de um conjunto semicondutor integrado de modo monolítico. o conjunto semicondutor inclui um substrato que inclui silicio (si), e o dispositivo semicondutor de nitreto de gálio (gan) é fabricado sobre o substrato. o conjunto semicondutor inclui adicionalmente pelo menos uma estrutura de supressor de voltagem transitória (tvs) fabricado dentro ou sobre o substrato, em que a estrutura de tvs está em contato elétrico com o dispositivo semicondutor de gan. a estrutura de tvs é configurada para operar em um modo de atravessamento, um modo de avalanche, ou combinações dos mesmos, quando uma voltagem aplicada por todo o dispositivo semicondutor de gan é maior que uma voltagem de limiar. métodos para fazer um conjunto semicondutor integrado de modo monolítico também são apresentados.</p> |
