| 发明名称 | 功率晶体管器件垂直集成 | ||
| 摘要 | 本发明涉及功率晶体管器件垂直集成。一种半导体部件包括层序列，所述层序列包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层以及设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层。所述半导体部件还包括至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件。所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域以及所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管。第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。 | ||
| 申请公布号 | CN102738148B | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
| 申请号 | CN201210098823.3 | 申请日期 | 2012.04.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技奥地利有限公司 | 发明人 | F.希尔勒;A.莫德;H-J.舒尔策;H.施特拉克 |
| 分类号 | H01L27/06(2006.01)I;H01L21/822(2006.01)I;H01L23/522(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 王岳;卢江 |
| 主权项 | 一种半导体部件，包括：层序列，包括第一绝缘体层、设置在所述第一绝缘体层上的第一半导体层、设置在所述第一半导体层上的第二绝缘体层和设置在所述第二绝缘体层上的第二半导体层；以及至少部分形成于所述第一半导体层内的多个器件，所述多个器件中的第一个是形成于所述第一半导体层的第一区域和所述第二半导体层的第一区域内的功率晶体管，第一和第二半导体层的第一区域通过所述第二绝缘体层内的第一开口相互电接触。 | ||
| 地址 | 奥地利菲拉赫 | ||