| 摘要 |
<p>반도체 장치는 HEMT와 다이오드를 구비한다. HEMT는 2차원 전자 가스가 생성되는 채널층인 GaN층과, 상기 GaN층의 위의 배리어층인 AlGaN층을 포함한 기판과, 상기 AlGaN층의 위에 상기 AlGaN층과 오믹 접촉한 소스 전극과, 상기 AlGaN층의 위에 상기 소스 전극으로부터 이격되어 설치되어, 상기 AlGaN층과 오믹 접촉한 드레인 전극과, 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극의 사이의 상기 AlGaN층의 위에 형성된 층간 절연막과, 상기 층간 절연막의 위에 형성된 게이트 전극을 갖는다. 상기 기판은 상기 GaN층에 상기 2차원 전자 가스가 생성되는 활성층 영역을 갖는다. 상기 다이오드는 상기 게이트 전극에 전기적으로 접속되어 있는 양극과, 상기 드레인 전극에 전기적으로 접속된 음극을 갖는다.</p> |
