| 发明名称 | 熔丝结构以及包括该熔丝结构的半导体装置 | ||
| 摘要 | 提供了一种熔丝结构以及包括该熔丝结构的半导体装置，所述熔丝结构包括：设置在场绝缘层中的第一鳍状图案，包括在场绝缘层的上表面上方突出的上表面；在场绝缘层上的导电图案，与第一鳍状图案交叉；第一半导体区，位于导电图案的至少一侧上；以及第一接触件和第二接触件，设置在第一鳍状图案的两侧上的导电图案上。 | ||
| 申请公布号 | CN104979328A | 申请公布日期 | 2015.10.14 |
| 申请号 | CN201510129060.8 | 申请日期 | 2015.03.23 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 崔贤民;前田茂伸 |
| 分类号 | H01L23/525(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/525(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 尹淑梅;刘灿强 |
| 主权项 | 一种熔丝结构，所述熔丝结构包括：设置在场绝缘层中的第一鳍状图案，包括在场绝缘层的上表面上方突出的上表面；在场绝缘层上的导电图案，与第一鳍状图案交叉；第一半导体区，位于导电图案的至少一侧上；以及第一接触件和第二接触件，设置在第一鳍状图案的两侧上的导电图案上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||