发明名称 POLYCRYSTALLINE SILICON DEPOSITION METHOD
摘要 본 발명의 주요 대상(subject matter)은, 실리콘 함유 반응 가스 혼합물을 반응기 벽에서의 및 베이스 판에서의 가스 유입구를 통해 반응기 챔버 내로 도입하고, 슬림 로드에 실리콘을 침착시킴으로써, 측부와 정상부에서는 반응기 벽에 의해 한정되며 그리고 저부에서는 그 슬림 로드가 배치되어 가열되는 베이스 판에 의해 한정된 반응기에서 실행되는 다결정 실리콘의 침착 방법이다. 본 발명에 따른 방법에서는 실리콘 함유 반응 가스 혼합물은 반응기 벽에서의 가스 유입구를 통해 반응기 측벽에 대하여 0°내지 45°의 각도로 도입되는 것을 특징으로 한다.
申请公布号 KR20150110809(A) 申请公布日期 2015.10.02
申请号 KR20157023550 申请日期 2014.02.26
申请人 WACKER CHEMIE AG 发明人 KLOSE GOERAN;KRAUS HEINZ;WEISS TOBIAS
分类号 C01B33/035;H01L21/02;H01L21/205 主分类号 C01B33/035
代理机构 代理人
主权项
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