| 主权项 |
一种半导体缺陷解析装置，其特征为：其系解析半导体元件之缺陷者；且包含：检查资讯取得机构，其系取得缺陷观察图像，来作为半导体元件之观察图像，该缺陷观察图像系进行关于缺陷之检查所获得之包含起因于缺陷之反应资讯者；布局资讯取得机构，其系取得前述半导体元件之布局资讯；及缺陷解析机构，其系参考前述缺陷观察图像及前述布局资讯来进行关于前述半导体元件之缺陷之解析；前述缺陷解析机构包含：区域设定机构，其系参考前述缺陷观察图像，与前述反应资讯相对应而设定解析区域；及布线资讯解析机构，其系针对前述半导体元件之布局所含之复数布线，参考前述解析区域来进行缺陷解析；前述布线资讯解析机构系撷取前述复数布线中通过前述解析区域之布线作为缺陷之候补布线，并且参考前述复数布线中之其他布线与前述候补布线间之距离，取得对于前述候补布线之邻近布线资讯；其中前述布线资讯解析机构系设定用以取得前述邻近布线资讯之距离临限值，于前述复数布线中之其他布线与前述候补布线间之距离为前述距离临限值以下之情况下，判断前述其他布线为对于前述候补布线之邻近布线，且可针对前述半导体元件之叠层构造中之复数层，于每
层设定前述距离临限值而构成。
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