纳米线传感器芯片制备方法

摘要

本发明公开一种纳米线传感器芯片制备方法，在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；在半导体圆片S2上制作垂直通孔对及溶液腔；将S1与S2键合；在S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接S2上垂直引出电极；滴纳米线分散液至S2上的溶液腔，通过S2上引出电极施加交变电压，去除分散液；将S3与S1-S2键合圆片的S2暴露表面键合，图形化，刻蚀半导体圆片S3，在S3圆片区域制作微孔，暴露出S2上的垂直引出电极；划片，得到纳米线传感器芯片。该方法能够解决现有制备技术批量化、片内纳米线传感器参数重复性差等技术难题，提高生产效率，提高圆片内纳米线传感器参数重复性，降低成本。

主权项

一种纳米线传感器芯片制备方法，其特征在于，包括：a、在半导体圆片S1一面制备电极对阵列；b、在半导体圆片S2上制作与电极对阵列匹配的垂直通孔对及溶液腔；c、将半导体圆片S1与半导体圆片S2对准、圆片键合，其中，半导体圆片S1上电极部分通过半导体圆片S2垂直通孔暴露，半导体圆片S2溶液腔暴露出半导体圆片S1上电极对一侧；d、在半导体圆片S2垂直通孔内制造垂直引出电极、在半导体圆片S2表面制备电互连线对，电互连线对依次电连接半导体圆片S2上垂直引出电极；e、滴纳米线分散液至半导体圆片S2上的溶液腔，通过半导体圆片S2上引出电极施加一定频率的交变电压，利用交变电压产生的介电泳力沉积纳米线后，去除分散液；f、将半导体圆片S3与S1‑S2键合圆片的S2暴露表面键合，图形化，刻蚀半导体圆片S3，在半导体圆片S2上垂直引出电极之上及溶液腔之上的S3圆片区域制作微孔，暴露出半导体圆片S2上的垂直引出电极、形成纳米线传感器与外界接口；g、对半导体圆片S1、半导体圆片S2、半导体圆片S3进行划片，得到纳米线传感器芯片。