用于在相同晶片上形成具有各种掺杂之鳍式场效电晶体之方法及结构

主权项

一种用于一积体电路之特征之制造的方法，其包含：在一半导体基板之一表面上图案化一第一半导体结构；在该第一半导体结构之相对侧上磊晶生长半导体材料以形成一第一鳍及一第二鳍；将一第一倾斜离子植入应用于该第一半导体结构之一侧以掺杂该一侧上之该第一鳍而未掺杂该第二鳍；选择性地移除该第一半导体结构以暴露该第一鳍及该第二鳍；及使用该第一鳍及该第二鳍形成鳍式场效电晶体。