| 发明名称 | 一种晶圆接合的检测结构、制备方法以及检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种晶圆接合的检测结构、制备方法以及检测方法，检测结构，包括：MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有MEMS元器件，在所述MEMS元器件的两侧形成有互连金属层；覆盖层，所述覆盖层包括两端设置的凸起的连接端，以及位于所述连接端之间的凹槽，所述连接端包括连接端主体以及位于所述连接端主体上导电材料层，其中，所述凹槽的底部和侧壁上也形成有所述导电材料层；所述覆盖层和所述MEMS衬底之间通过所述连接端和所述互连金属层接合为一体，所述连接端和所述互连金属层的接合处形成有接合界面。本发明所述测试结构的优点在于：（1）不会破坏器件（Device），测试后可以继续封装使用。（2）通过改变制备工艺（Process Flow），不会对器件造成影响。 | ||
| 申请公布号 | CN104773704A | 申请公布日期 | 2015.07.15 |
| 申请号 | CN201410016061.7 | 申请日期 | 2014.01.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 郑超;骆凯玲;刘炼 |
| 分类号 | B81B7/02(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种晶圆接合的检测结构，包括： MEMS衬底，在所述MEMS衬底上形成有MEMS元器件，在所述MEMS元器件的两侧形成有互连金属层； 覆盖层，所述覆盖层包括两端设置的凸起的连接端，以及位于所述连接端之间的凹槽，所述连接端包括连接端主体以及位于所述连接端主体上导电材料层，其中，所述凹槽的底部和侧壁上也形成有所述导电材料层； 所述覆盖层和所述MEMS衬底之间通过所述连接端和所述互连金属层接合为一体，所述连接端和所述互连金属层的接合处形成有接合界面。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||