一种基于FinFET晶体管的主从触发器

摘要

本发明公开了一种基于FinFET晶体管的主从触发器，通过第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管和第六N型FinFET管构成主锁存器；从锁存器由第四P型FinFET管和第七N型FinFET管构成的第二反相器与第五P型FinFET管和第八N型FinFET管构成的第三反相器组成，从锁存器为两个反相器组成的环路；优点是电路结构简单，功耗和传播延时均较小，采用PTM模型的32nm工艺器件参数，在标准电压(1v)条件下进行仿真，本发明的电路功耗比现有的触发器电路功耗降低了大约66％，传播延时降低了大约48％。

主权项

一种基于FinFET晶体管的主从触发器，其特征在于包括第一P型FinFET管、第二P型FinFET管、第三P型FinFET管、第四P型FinFET管、第五P型FinFET管、第一N型FinFET管、第二N型FinFET管、第三N型FinFET管、第四N型FinFET管、第五N型FinFET管、第六N型FinFET管、第七N型FinFET管和第八N型FinFET管；所述的第一P型FinFET管的漏极、所述的第二P型FinFET管的漏极、所述的第四P型FinFET管的漏极、所述的第五P型FinFET管的漏极、所述的第一P型FinFET管的衬底、所述的第二P型FinFET管的衬底、所述的第三P型FinFET管的衬底、所述的第四P型FinFET管的衬底和所述的第五P型FinFET管的衬底均接入电源；所述的第一N型FinFET管的衬底、所述的第二N型FinFET管的衬底、所述的第三N型FinFET管的衬底、所述的第四N型FinFET管的衬底、所述的第五N型FinFET管的衬底、所述的第六N型FinFET管的衬底、所述的第七N型FinFET管的衬底、所述的第八N型FinFET管的衬底、所述的第一N型FinFET管的漏极、所述的第五N型FinFET管的漏极、所述的第七N型FinFET管的漏极和所述的第八N型FinFET管的漏极均接地；所述的第二N型FinFET管的漏极为信号输入端，所述的第三N型FinFET管的漏极为反相信号输入端；所述的第二N型FinFET管的栅极、所述的第三P型FinFET管的栅极和所述的第三N型FinFET管的栅极连接且其连接端为时钟信号输入端，所述的第四N型FinFET管的栅极和所述的第六N型FinFET管的栅极连接且其连接端为反相时钟信号输入端；所述的第一N型FinFET管的源极、所述的第一P型FinFET管的栅极、所述的第二N型FinFET管的源极和所述的第四N型FinFET管的漏极连接；所述的第一P型FinFET管的源极、所述的第二P型FinFET管的栅极、所述的第一N型FinFET管的栅极、所述的第五N型FinFET管的栅极和所述的第三N型FinFET管的源极连接；所述的第二P型FinFET管的源极、所述的第三P型FinFET管的漏极、所述的第五N型FinFET管的源极和所述的第六N型FinFET管的漏极连接；所述的第三P型FinFET管的源极、所述的第四P型FinFET管的源极、所述的第五P型FinFET管的栅极、所述的第四N型FinFET管的源极、所述的第六N型FinFET管的源极、所述的第七N型FinFET管的源极和所述的第八N型FinFET管的栅极连接且其连接端为信号输出端；所述的第四P型FinFET管的栅极、所述的第五P型FinFET管的源极、所述的第七N型FinFET管的栅极和所述的第八N型FinFET管的源极连接且其连接端为反相信号输出端。