| 发明名称 | 薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种薄膜晶体管及薄膜晶体管的制备方法。所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。本发明的薄膜晶体管能够有效增加所述薄膜晶体管的开态电流，且具有较快的开关速度。 | ||
| 申请公布号 | CN104576756A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201410853629.0 | 申请日期 | 2014.12.30 |
| 申请人 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 发明人 | 石龙强;曾志远;李文辉;苏智昱;吕晓文 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人 | 郝传鑫;熊永强 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：基板；依次层叠设置在所述基板的表面上的栅极、栅极绝缘层、第一半导体层、蚀刻阻挡层以及第二半导体层；以及源极和漏极，所述源极及所述漏极分别覆盖在所述第二半导体的两端，所述蚀刻阻挡层上分别对应所述源极和漏极设有第一贯孔和第二贯孔，所述源极通过所述第一贯孔与所述第一半导体层相连，所述漏极通过第二贯孔与所述第一半导体层相连。 | ||
| 地址 | 518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9-2号 | ||