| 发明名称 | LDMOS的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种LDMOS的制造方法，该方法包括：A.提供一基底，在基底定义的LDMOS区中形成两个具有台阶状的浅沟槽隔离STI，所述两个具有台阶状的STI分别位于要形成的第一漂移区和第二漂移区中，且在第一漂移区中位于要形成的源极与多晶硅栅极之间，在第二漂移区中位于要形成的漏极与多晶硅栅极之间；B.在LDMOS区进行离子注入形成阱；C.在所述阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的第一漂移区和第二漂移区；D.在第一漂移区和第二漂移区之间的基底表面形成栅极结构；E.分别在第一漂移区和第二漂移区中进行掺杂形成源极和漏极。采用本发明能够降低LDMOS的热载流子效应。 | ||
| 申请公布号 | CN104576499A | 申请公布日期 | 2015.04.29 |
| 申请号 | CN201310473674.9 | 申请日期 | 2013.10.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 黄晨 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 牛峥;王丽琴 |
| 主权项 | 一种横向扩散金属氧化物半导体晶体管LDMOS的制造方法，该方法包括以下步骤：A、提供一基底，在基底定义的LDMOS区中形成两个具有台阶状的浅沟槽隔离STI，所述两个具有台阶状的STI分别位于要形成的第一漂移区和第二漂移区中，且在第一漂移区中位于要形成的源极与多晶硅栅极之间，在第二漂移区中位于要形成的漏极与多晶硅栅极之间；B、在LDMOS区进行离子注入形成阱；C、在所述阱内离子注入形成位于栅极结构两侧对称设置的第一漂移区和第二漂移区；D、在第一漂移区和第二漂移区之间的基底表面形成栅极结构；E、分别在第一漂移区和第二漂移区中进行掺杂形成源极和漏极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||