| 摘要 |
Sposób polega na tym, że na aluminium z naniesioną uprzednio metodą cementacyjną w procesie dwuetapowym warstwą cynku, wykorzystujący metodę bezprądową i elektrolityczną, osadza się metodą bezprądową warstwę metalicznego kobaltu z roztworu o składzie: 0,05-0,15 M siarczanu(VI) kobaltu(II) CoSO4, 0,03-0,04 M dimetyloaminoboranu DMAB, 0,05-0,2 M cytrynianu trójsodowego Na3C6H5, 0,2-0,3 M kwasu borowego H3BO3 i 0,20-0,25 M kwasu maleinowego C4H4O4, przy czym proces prowadzi się w temperaturze 70-80°C przez okres 15-60 minut. Na tak wytworzonej warstwie osadza się metodą elektrolityczną warstwę kompozytową na osnowie kobaltu Co/SiC, a proces ten prowadzi się w roztworze o składzie: 0,7-0,8 M chlorku kobaltu(II) CoCl2 • 6H2O, 0,08-0,1 M siarczanu(VI) kobaltu(II) CoSO4 • 7H2O, 0,4-0,5 M kwasu borowego H3BO3, 5-6 mM sacharyny C7H5NO3S oraz 7 • 10-4 - 8 • 10-4 mM bromku N-cetylo-N,N,N-trimetyloamoniowego C19H42BrN (CTAB), 1-10 g/dm3 proszku węglika krzemu SiC o wielkości ziaren ok.3 µm, pH kąpieli wynosi 4,3-4,5. Osadzanie prowadzi się przez okres 1-8 godzin, stosując mieszanie zawiesiny, przy czym gęstość prądu katodowego wynosi 0,5-3 A/dm2. |
