| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置包括：半导体层，具有依次层叠有第一导电型的漏极层、第二导电型的沟道层以及第一导电型的源极层的构造，所述源极层在所述半导体层的表面露出；栅极沟槽，从所述半导体层的所述表面起贯通所述源极层和所述沟道层，最深部达到所述漏极层；栅极绝缘膜，模仿所述栅极沟槽的内表面和所述半导体层的所述表面而形成；以及栅极电极，经由所述栅极绝缘膜被埋入于所述栅极沟槽，所述栅极绝缘膜的与所述半导体层的所述表面相接的部分与在所述栅极沟槽的侧面与所述沟道层相接的部分相比被形成得厚。 | ||
| 申请公布号 | CN104541378A | 申请公布日期 | 2015.04.22 |
| 申请号 | CN201380044071.5 | 申请日期 | 2013.08.13 |
| 申请人 | 罗姆股份有限公司 | 发明人 | 中野佑纪;中村亮太;坂入宽之 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/12(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 张涛;陈岚 |
| 主权项 | 一种半导体装置，包括：半导体层，具有依次层叠有第一导电型的漏极层、第二导电型的沟道层及第一导电型的源极层的构造，所述源极层在所述半导体层的表面露出；栅极沟槽，从所述半导体层的所述表面起贯通所述源极层和所述沟道层，最深部达到所述漏极层；栅极绝缘膜，模仿所述栅极沟槽的内表面和所述半导体层的所述表面而形成；以及栅极电极，经由所述栅极绝缘膜被埋入于所述栅极沟槽，所述栅极绝缘膜的与所述半导体层的所述表面相接的部分与在所述栅极沟槽的侧面与所述沟道层相接的部分相比被形成得厚。 | ||
| 地址 | 日本京都市 | ||