LIGHT EMITTING DIODE WITH LIGHT EMITTING LAYER CONTAINING NITROGEN AND PHOSPHOROUS
摘要
<p>본 발명의 실시형태들은 n-형 영역, p-형 영역, 및 n-형 영역과 p-형 영역 사이에 배치된 발광 층을 포함한다. 발광 층은 질소 및 인을 포함하는 III-V 재료이다. 디바이스는 또한 발광 층과, p-형 영역 및 n-형 영역 중 하나 사이에 배치된 차등 영역을 포함한다. 차등 영역에서의 재료들의 조성은 차등화된다.</p>
