半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

摘要

对于包括电路的显示装置之性能而言，包括于电路中的薄膜电晶体之电特性的均匀性及稳定性是重要的。本发明之目的在于提供一种具有低的氢含量之氧化物半导体膜，其使用于具有良好界定的电特性之反交错型的薄膜电晶体。欲达成此目的，在不暴露于空气下，以溅射方法连续地形成闸极绝缘膜、氧化物半导体层及通道保护膜。在包括一部份的氧之气围中，形成氧化物半导体层，以限制氢污染。此外，使用矽、氧及/或氮的化合物，形成提供于氧化物半导体层的通道形成区域上方及下方的层。