发明名称 薄膜形成方法及薄膜形成装置
摘要 于以一定间隔排列设置多数片之靶材,藉由溅镀形成特定薄膜时,抑制在形成于处理基板表面之薄膜产生波状起伏之膜厚分布或膜质分布。;对在溅镀室11a内对向于处理基板S并且隔着特定间隔而排列设置之多数片的靶材输入电力,藉由溅镀形成特定薄膜之期间,使各靶材以一定速度相对于处理基板平行往复动作,并且将在各靶材前方各形成隧道状之磁通M的磁石组装体以一定速度各平行于各靶材往复动作。当各靶材到达至往复动作之折返位置时,使各靶材之往复动作停止特定时间。
申请公布号 TWI470099 申请公布日期 2015.01.21
申请号 TW096139682 申请日期 2007.10.23
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 大石佑一;小松孝;清田淳也;新井真
分类号 C23C14/34 主分类号 C23C14/34
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种薄膜形成方法,对在溅镀室内对向于处理基板并且隔着特定间隔而排列设置之复数片的靶材输入电力,藉由溅镀形成特定薄膜,该薄膜形成方法之特征为:使各靶材沿着靶材之排列方向而以一定速度平行于处理基板作往复动作,并且使在各靶材之前方分别形成隧道状之磁通的磁石组装体沿着靶材之排列方向而以一定速度各平行于各靶材作往复动作,当上述各靶材到达至往复动作之折返位置时,使各靶材之往复动作停止特定时间,在各靶材之停止状态下使磁石组装体以一定速度作往复动作,当经过特定时间时,在仍维持磁石组装体之往复动作之状态下,再次开始各靶材之往复动作。
地址 日本