发明名称 | 存储器件及其制造方法 | ||
摘要 | 本申请公开了一种存储器件及其制造方法。一示例存储器件可以包括:衬底;在衬底上形成的背栅;晶体管,包括:在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍;以及在衬底上形成的栅堆叠,所述栅堆叠与鳍相交;以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层,其中,背栅电浮置,从而充当该存储器件的浮栅。 | ||
申请公布号 | CN104241289A | 申请公布日期 | 2014.12.24 |
申请号 | CN201310247278.4 | 申请日期 | 2013.06.20 |
申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 朱慧珑 |
分类号 | H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 倪斌 |
主权项 | 一种存储器件,包括:衬底;在衬底上形成的背栅;晶体管,包括:在衬底上在背栅的相对两侧形成的鳍;以及在衬底上形成的栅堆叠,所述栅堆叠与鳍相交;以及在背栅的底面和侧面上形成的背栅介质层,其中,背栅电浮置,从而充当该存储器件的浮栅。 | ||
地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 |