LTPS阵列基板的制造方法

摘要

本发明公开了一种LTPS阵列基板的制造方法，在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层，通过激光退火使得所述非晶硅层晶化为多晶硅层；分别在所述多晶硅层的所述P沟道区域、所述N沟道区域和所述TFT区域上涂覆光刻胶，所述P沟道区域的光刻胶厚度是所述N沟道区域以及所述TFT区域光刻胶厚度的两倍以上，其他部分没有光刻胶；经过多晶硅层干刻后形成多晶硅图案和沟道，然后通过光刻胶灰化处理，使得所述N沟道区域和所述TFT区域较薄的光刻胶被去除，而留下所述P沟道区域的光刻胶。本发明节省设备费用，提高产量，降低了常规8道光罩所带来的设计上的缺陷及制程的难度。

主权项

一种LTPS阵列基板的制造方法，所述LTPS阵列基板包括N沟道区域、P沟道区域和TFT区域，其特征在于，包括：在基板上依次沉积缓冲层和非晶硅层，通过激光退火使得所述非晶硅层晶化为多晶硅层；分别在所述多晶硅层的所述P沟道区域、所述N沟道区域和所述TFT区域上涂覆光刻胶，所述P沟道区域的光刻胶厚度是所述N沟道区域以及所述TFT区域光刻胶厚度的两倍以上，其他部分没有光刻胶；经过多晶硅层干刻后形成多晶硅图案和沟道，然后通过光刻胶灰化处理，使得所述N沟道区域和所述TFT区域较薄的光刻胶被去除，而留下所述P沟道区域的光刻胶；屏蔽所述P沟道区域，对所述N沟道区域和所述TFT区域实行离子注入；屏蔽P型所述N沟道区域、P型所述P沟道区域以及P型所述TFT区域，实行离子注入以形成N型源/漏极区域和N型TFT区域；栅极电极沉积，形成第一金属层，定义出栅极；屏蔽N型所述N沟道区域和N型所述TFT区域，实行离子注入以形成P型源/漏极区域；在所述N沟道区域、所述P沟道区域以及所述TFT区域的源极、漏极、栅极处分别形成接触孔；布线层沉积，形成第二金属层，并定义数据线图案；平坦层沉积，并在所述TFT区域形成所述平坦层的接触孔；涂覆ITO膜层，定义像素电极形状。