| 发明名称 |
制造应变源／汲极结构的方法 |
| 摘要 |
本发明揭露一种积体电路元件及其制造方法。揭露的方法对积体电路元件的近面和尖端深度提供改善的控制。在一个实施方式中，这个方法通过在该元件的源极和汲极区域内形成一个掺杂区域与一个轻掺杂源极和汲极(LDD)区域来达成控制的改善。在掺杂区域植入与轻掺杂源极和汲极(LDD)区域相反类型的杂质。 |
| 申请公布号 |
TWI443757 |
申请公布日期 |
2014.07.01 |
| 申请号 |
TW100116706 |
申请日期 |
2011.05.12 |
| 申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
发明人 |
聂俊峰;蔡明桓;范玮寒;黄益民;郑振辉;蔡瀚霆;吴启明 |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/28 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼 |
| 主权项 |
一种应变源/汲极结构的制造方法，包括：提供一半导体基底；形成一闸极结构于该基底上；实施具有一第一杂质和一第一剂量的一第一植入制程于该基底上，以在该基底内形成轻掺杂源极和汲极(LDD)区域，该闸极结构分断该轻掺杂源极和汲极(LDD)区域；实施具有一第二杂质和一第二剂量的一第二植入制程于该基底上，以在该基底内形成掺杂区域，该第二杂质与该第一杂质电性相反，该掺杂区域实质上与该闸极结构相邻的该轻掺杂源极和汲极(LDD)的侧壁对准；形成间隙壁于该闸极结构；去除该闸极结构的两侧的部分该掺杂区域，以在该基底内形成一凹陷，该凹陷定义该基底的源极和汲极区域；以及磊晶成长半导体材料填充该凹陷，以形成源极和汲极结构，且未被去除的该掺杂区域位于至少部分的该源极和汲极结构之上。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行六路8号 |
