| 发明名称 | 单晶的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是一种单晶的制造方法，该方法是通过CZ法的单晶的制造方法，该单晶的制造方法对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析，并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。由此，提供一种在通过CZ法的单晶的制造中，能够制造不会发生LT(Life Time)降低和LPD(Light Point Defect)异常的高质量的单晶的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103890241A | 申请公布日期 | 2014.06.25 |
| 申请号 | CN201280051969.0 | 申请日期 | 2012.10.02 |
| 申请人 | 信越半导体株式会社 | 发明人 | 岩崎淳 |
| 分类号 | C30B15/10(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B15/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人 | 朱健 |
| 主权项 | 一种单晶的制造方法，是通过CZ法的单晶的制造方法，该单晶的制造方法其特征在于，对于在制造单晶的炉内所使用的至少一个石墨配件的Ni浓度进行分析，并使用该所分析的Ni浓度为30ppb以下的石墨配件而制造上述单晶。 | ||
| 地址 | 日本东京都千代田区大手町二丁目6番2号 | ||