一种金线莲组织培养快速增殖方法

摘要

本发明公开金线莲组织培养快速增殖方法，对外植体清洗消毒，接入MS培养基，前一周弱光培养，一周后强光培养，光照时间10小时/天，温度23±2℃，培养40天；接入配比为MS培养基、6-BA1.4-1.6mg/L、NAA0.2-0.3mg/L的液体培养基中增殖培养，培养条件为暗培养，温度23±2℃，培养周期45天；壮苗培养基为MS培养基，光照培养，光照时间8小时/天，温度23±2℃，培养周期12-15天；生根培养基配比：1/2MS、香蕉60g/L、活性炭1g/L、水解酪蛋白0.5g/L，光照时间10小时/天，温度23±2℃，培养周期3个月。该方法实现金线莲工业化快速繁育，缩短了培养周期。

主权项

一种金线莲组织培养快速增殖方法，其特征在于，包括以下步骤：外植体诱导：采取金线莲植株作为外植体，先对外植体进行清洗、消毒，接入不添加激素的MS基本培养基诱导培养，前一周弱光培养，光照强度500‑800Lux，一周后强光培养，光照强度1500‑2000Lux，光照时间10小时/天，温度23±2℃，培养40天；增殖培养：接入液体培养基中进液体增殖培养，液体增殖培养基配比：MS培养基、6‑BA1.4‑1.6mg/L、NAA0.2‑0.3mg/L，培养条件为暗培养，温度为23±2℃，培养周期45天；壮苗培养：壮苗培养基为无激素液体改良MS培养基，光照培养，光强为1200‑1500Lux，光照时间为8小时/天，温度为23±2℃，培养周期为12‑15天；生根培养：生根培养基配比：1/2MS、香蕉60g/L、活性炭1g/L、水解酪蛋白0.5g/L，光照培养，光照时间10 小时/天，光照强度1500‑2500Lux，温度为23±2℃，培养周期为3个月。