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Es wird ein Mechanismus für ein bidirektionales Schreiben bereitgestellt. Eine Struktur beinhaltet eine Referenzschicht oben auf einer Tunnelbarriere, eine freie Schicht unterhalb der Tunnelbarriere, einen Metallabstandshalter unterhalb der freien Schicht, einen isolierenden Magneten unterhalb des Metallabstandshalters und eine Schicht mit hohem Widerstand unterhalb der isolierenden Schicht. Die Schicht mit hohem Widerstand wirkt als eine Erwärmungsvorrichtung, bei der die Erwärmungsvorrichtung den isolierenden Magneten erwärmt, um spin-polarisierte Elektronen zu erzeugen. Eine Magnetisierung der freien Schicht wird durch die von dem isolierenden Magneten erzeugten spin-polarisierten Elektronen destabilisiert. Eine Spannung wird angelegt, um die Magnetisierung der freien Schicht zu ändern, wenn die Magnetisierung destabilisiert ist. Eine Polarität der Spannung bestimmt, wann die Magnetisierung der freien Schicht parallel und antiparallel zu einer Magnetisierung der Referenzschicht ist. |
