一种深矽通孔的刻蚀方法

摘要

本发明提供一种深矽通孔的刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。该发明包括采用反应离子刻蚀的刻蚀步骤和聚合物沉积步骤，所述刻蚀步骤和聚合物沉积步骤交替进行，所述刻蚀步骤采用的气体中包括用于化学反应等离子刻蚀矽的第一气体和用于与矽反应形成矽化物保护膜的第二气体。使用该方法刻蚀形成TSV时，具有刻蚀效率高、TSV通孔侧壁光滑度好的特点。