光电动势装置的制造方法

摘要

本发明提供一种光电动势装置的制造方法。不会比以往相比降低向外部电路取出光电流的效率，而可以与以往相比改善光电变换效率。具备：P型硅基板（101）；在光的入射面侧形成的按照第1浓度扩散了N型的杂质的低电阻N型扩散层（102L）；在低电阻N型扩散层（102L）上形成的栅电极（111）；在背面形成的P+层（110）；以及在P+层（110）上形成的背面电极，具有以从低电阻N型扩散层（102L）的上表面到达硅基板（101）的方式，按照规定间隔设置的凹部（106），在相邻的凹部（106）之间的区域的上表面，包括低电阻N型扩散层（102L），在从凹部（106）的形成面起规定的深度的范围中，形成了按照比第1浓度低的第2浓度扩散了N型的杂质的高电阻N型扩散层（102H）。

主权项

一种光电动势装置的制造方法，包括：第1扩散层形成工序，在第1导电类型的多晶硅或者单晶硅基板的光的入射面侧，使第2导电类型的杂质扩散，从而形成第1浓度的第1扩散层；耐蚀刻膜形成工序，在所述第1扩散层上形成具有耐蚀刻性的耐蚀刻膜；微细孔形成工序，在所述耐蚀刻膜上的规定的位置形成微细孔，使所述第1扩散层露出；凹部形成工序，以所述第1扩散层的露出位置为中心，对所述第1扩散层和所述多晶硅或者单晶硅基板进行蚀刻，以使在相邻的凹部之间的所述第1扩散层的上表面平坦的方式形成凹部；第2扩散层形成工序，在形成所述凹部的面扩散低于所述第1浓度的第2浓度的第2导电类型的杂质，从而形成第2扩散层；以及表面电极形成工序，在所述凹部形成工序中形成的具有平坦的上表面的所述第1扩散层上，形成栅电极和连接所述栅电极之间的汇流电极，所述第1扩散层的薄膜电阻大于等于30Ω/□且小于60Ω/□，所述第2扩散层的薄膜电阻大于等于60Ω/□且小于150Ω/□，所述栅电极在接合部分中与所述第1扩散层接触，由此所述第1扩散层得到与所述栅电极以及所述汇流电极的良好的电阻性接合。