| 发明名称 | 一种双色量子阱红外光探测器 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器，其包括一层半导体衬底层；一位于所述衬底上的缓冲层；一位于所述缓冲层上的下接触层，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层；一位于所述第二量子阱层上的上接触层，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层，该金属层中具有光栅结构。本发明的优点是通过金属亚波长光栅进行光耦合，利用所产生的表面等离子体和光散射效应，实现了双色量子阱结构对垂直入射光的有效吸收。 | ||
| 申请公布号 | CN103325862A | 申请公布日期 | 2013.09.25 |
| 申请号 | CN201310193666.9 | 申请日期 | 2013.05.23 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 宋国峰;许斌宗;刘杰涛;胡海峰;韦欣;王青;徐云 |
| 分类号 | H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/101(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0352(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种基于表面等离子体和光栅散射效应的双色量子阱红外探测器(100)，其包括一层半导体衬底层(108)；一位于所述衬底上的缓冲层(107)；一位于所述缓冲层上的下接触层(106)，且该层连接探测器的下电极；一位于所述下接触层上的第一量子阱层(105)；一位于所述第一量子阱层上的中间接触层(104)，且该层连接探测器的中间电极；一位于所述中间接触层上的第二量子阱层(103)；一位于所述第二量子阱层上的上接触层(102)，且该层连接探测器的上电极；一位于所述上接触层上的金属层(101)，该金属层中具有光栅结构。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||