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经营范围
发明名称
半导体装置
摘要
本文中揭示一种半导体装置,其包含:第一及第二电晶体,该第一及第二电晶体中之每一者皆由复数个鳍式电晶体形成,且该第一及第二电晶体并行连接以电性地共享一源极,其中该复数个鳍式电晶体各自包含:一鳍式活化层,该鳍式活化层自一半导体基板突出;一源极层,其充当源极形成于一端上;及一汲极层,其在该鳍式活化层之另一端上以形成一通道区,该等鳍式活化层配置成并行地毗邻于彼此,且该等汲极层经安置以使得电流在该第一与第二电晶体之间沿相反方向流过该复数个鳍式电晶体。
申请公布号
TWI405327
申请公布日期
2013.08.11
申请号
TW098105516
申请日期
2009.02.20
申请人
新力股份有限公司 日本
发明人
水村章;安茂博章;大石哲也
分类号
H01L27/105
主分类号
H01L27/105
代理机构
代理人
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址
日本
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