发明名称 半导体记忆体输入输出装置
摘要 一种半导体记忆体输入输出装置,其包含:选择垫,其用以输入及输出用于多个作业模式之信号且具有多种功能;一控制信号产生器,其用于输出设定信号及一遮罩控制信号;一下部输入输出单元,其包含一用于将一读取资料选通信号输出至一选择垫之下部输出缓冲器,及一用于接收一来自该选择垫之下部资料遮罩信号之下部输入缓冲器,并选择该下部输出缓冲器及该下部输入缓冲器之一个作业;及一上部输入输出单元,其包含一用于将一反转读取资料选通信号输出至该第二选择垫之上部输出缓冲器及一用于接收一来自该第二选择垫之上部资料遮罩信号之上部输入缓冲器,并选择该上部输出缓冲器及该上部输入缓冲器之一个作业。
申请公布号 TWI402855 申请公布日期 2013.07.21
申请号 TW097149905 申请日期 2008.12.19
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 河成周;赵浩烨
分类号 G11C7/10 主分类号 G11C7/10
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 南韩