硅熔体接触构件及其制法、以及晶体硅的制造方法

摘要

本发明提供下述硅熔体接触构件，其可使相对于硅熔体的疏液性大幅增大、并使该疏液性持久持续、且适合于晶体硅制造，本发明还提供利用该硅熔体接触构件有效地制造晶体硅、特别是高结晶性的球形晶体硅的方法。该硅熔体接触构件为：其表面存在具有大量孔隙（优选的是，以30～80%的孔占有面积比例分散着大小为平均当量圆直径1～25μm的孔，各孔连结形成深度5μm以上的连通孔）的、以氮化硅为主要成分的厚度10～500μm的多孔烧结体层，优选的是，该烧结体层在氮化铝等陶瓷基板上存在。

主权项

一种硅熔体接触构件，其特征在于，其表面存在由烧结体构成且形成有源自有机颗粒的形状的孔的多孔烧结体层，该烧结体如下得到：将含有由热分解性树脂颗粒形成的平均粒径1～25μm的所述有机颗粒及以氮化硅为主要成分的烧结性粉末的混合物成形为成形体，烧成该成形体直至所述有机颗粒消失，进而烧结所述烧结性粉末而得到烧结体。