| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung von Transistoren mit hohem Emitterwirkungsgrad |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
AT256937(B) |
申请公布日期 |
1967.09.11 |
| 申请号 |
AT19640007353 |
申请日期 |
1964.08.25 |
| 申请人 |
EGYESUELT IZZOLAMPA ES VILLAMOSSAGI RESZVENYTARSASAG |
发明人 |
DIPL. ING. MARTA ANDRASI |
| 分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00 |
主分类号 |
H01L21/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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