半导体器件的精细构图方法

摘要

本申请公开了一种半导体器件的精细构图方法。为了在集成电路制造期间进行构图，激活图像层而在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段。在图像层上形成嵌段共聚物层，并且在两个最靠近的激活区域的外边缘之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物形成多个第一种聚合物链段以及多个第二和第三种聚合物链段。去除第一、第二和第三种聚合物链段中的至少一种聚合物链段，以形成各种各样的掩模结构。

主权项

一种集成电路制造期间的构图方法，所述方法包括：激活图像层，使得图像层的暴露部分形成激活区域；在图像层上形成嵌段共聚物层；以及在两个最靠近的激活区域之上和之间的图像层的区域上，由嵌段共聚物通过相分离形成多个第一种聚合物链段、多个第二种聚合物链段和多个第三种聚合物链段，并且在两个最靠近的激活区域上各形成各自的第一种聚合物链段，其中，第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段是互不相同的种类，并且其中，第一种聚合物链段、第二种聚合物链段和第三种聚合物链段与图像层相接触。