| 发明名称 | 半导体发光元件 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体发光元件。该发光元件具备：包含活性区域(8)的半导体构造(11)；形成在半导体构造(11)的上表面的透光性导电层(13)；形成在透光性导电层(13)的上表面的电介质膜(4)；和形成在电介质膜(4)的上表面的金属反射层(22)，电介质膜(4)设有1个以上的开口部(21)，以使得透光性导电层(13)部分地露出到外部，透光性导电层(13)介由开口部(21)与金属反射层(22)电接合，按照覆盖开口部(21)的方式部分地形成阻挡层(24)，使该阻挡层(24)介于透光性导电层(13)和金属反射层(22)之间。 | ||
| 申请公布号 | CN102969414A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210313485.0 | 申请日期 | 2012.08.29 |
| 申请人 | 日亚化学工业株式会社 | 发明人 | 楠濑健;东直树;小川利昭;笠井久嗣 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/10(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 吴秋明 |
| 主权项 | 一种半导体发光元件，其具备：包含活性区域的半导体构造；形成于所述半导体构造的上表面的透光性导电层；形成于所述透光性导电层的上表面的电介质膜；和形成于所述电介质膜的上表面的金属反射层，所述电介质膜设有1个以上的开口部，以使得所述透光性导电层部分地露出，所述透光性导电层介由所述开口部与所述金属反射层电接合，按照覆盖开口部的方式部分地形成阻挡层，使该阻挡层介于所述透光性导电层和所述金属反射层之间。 | ||
| 地址 | 日本德岛县 | ||