| 发明名称 | 一种半导体结构及其形成方法，一种晶体管及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构形成方法，以及一种晶体管及其形成方法，本发明所提供的晶体管形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有栅极结构，以及位于所述栅极结构两侧的第一凹槽，所述第一凹槽的底部材料和侧壁材料为结晶态；将所述第一凹槽的底部材料由结晶态转变为无定形态；所述第一凹槽的底部材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；在所述第二凹槽和第三凹槽内形成硅锗层，并对所述硅锗层掺杂，形成源、漏极。通过本发明有利于提高半导体器件的性能。 | ||
| 申请公布号 | CN102969247A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201110255740.6 | 申请日期 | 2011.08.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴金刚;何永根 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体结构形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有第一凹槽，所述第一凹槽底部材料和侧壁材料为结晶态；将所述第一凹槽底部的材料由结晶态转变为无定形态；所述第一凹槽底部的材料转变为无定形态后，对所述第一凹槽进行湿法刻蚀，形成第二凹槽，所述第二凹槽暴露所述为无定形态的底部材料；形成所述第二凹槽后，去除所述为无定形态的底部材料，形成位于第二凹槽底部的第三凹槽；形成填充满所述第二凹槽和第三凹槽的填充层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||